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提高稀磁半导体中铁磁转变温度的新途径。
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2017-Aug-29 , DOI: 10.1038/s41598-017-09729-6 Kalpataru Pradhan , Subrat K. Das
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2017-Aug-29 , DOI: 10.1038/s41598-017-09729-6 Kalpataru Pradhan , Subrat K. Das
我们在中间耦合机制中的简单立方晶格上使用自旋费米蒙特卡罗方法研究了稀磁性半导体的磁性和传输性质。如实验中所见,铁磁转变温度T c相对于绝对载流子密度p abs和磁杂质浓度x表现出优化行为。我们的计算还表明,在T c为最大值的最佳p abs上,绝缘体-金属-绝缘体的过渡。值得注意的是,对于所有x值和铁磁T c,最佳p abs值都在0.11(孔/位)的狭窄范围内随x增加。我们使用极化子渗流机理解释了我们的结果,并概述了在实验中提高铁磁转变温度的新途径。
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更新日期:2017-08-29
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