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2,7-Diphenyl[1]benzothieno[3,2-b]benzothiophene, A New Organic Semiconductor for Air-Stable Organic Field-Effect Transistors with Mobilities up to 2.0 cm2V-1s-1
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2006-10-01 , DOI: 10.1021/ja064052l Kazuo Takimiya 1 , Hideaki Ebata 1 , Katsuhiro Sakamoto 1 , Takafumi Izawa 1 , Tetsuo Otsubo 1 , Yoshihito Kunugi 1
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2006-10-01 , DOI: 10.1021/ja064052l Kazuo Takimiya 1 , Hideaki Ebata 1 , Katsuhiro Sakamoto 1 , Takafumi Izawa 1 , Tetsuo Otsubo 1 , Yoshihito Kunugi 1
Affiliation
Vapor-deposited thin films of a newly developed sulfur-containing heteroarene, 2,7-diphenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (DPh-BTBT), were used as an active layer of OFETs, which showed excellent FET characteristics in ambient conditions with mobilities of approximately 2.0 cm2 V-1 s-1 and Ion/Ioff of 107.
中文翻译：
2,7-二苯基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩，一种用于空气稳定有机场效应晶体管的新型有机半导体，迁移率高达2.0 cm2V-1s-1
新开发的含硫杂芳烃、2,7-二苯基[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩（DPh-BTBT）的气相沉积薄膜被用作OFET的有源层，在环境条件下显示出优异的 FET 特性，迁移率约为 2.0 cm2 V-1 s-1，Ion/Ioff 为 107。
更新日期：2006-10-01
中文翻译：
2,7-二苯基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩，一种用于空气稳定有机场效应晶体管的新型有机半导体，迁移率高达2.0 cm2V-1s-1
新开发的含硫杂芳烃、2,7-二苯基[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩（DPh-BTBT）的气相沉积薄膜被用作OFET的有源层，在环境条件下显示出优异的 FET 特性，迁移率约为 2.0 cm2 V-1 s-1，Ion/Ioff 为 107。
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