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Mg2Si的独特电子结构：通过多中心键合形成半导体导带
Angewandte Chemie International Edition ( IF 16.1 ) Pub Date : 2017-05-03 08:35:28 , DOI: 10.1002/anie.201701681
Hiroshi Mizoguchi 1 , Yoshinori Muraba 1 , Daniel C. Fredrickson 1, 2 , Satoru Matsuishi 1 , Toshio Kamiya 1, 3 , Hideo Hosono 1, 3
Angewandte Chemie International Edition ( IF 16.1 ) Pub Date : 2017-05-03 08:35:28 , DOI: 10.1002/anie.201701681
Hiroshi Mizoguchi 1 , Yoshinori Muraba 1 , Daniel C. Fredrickson 1, 2 , Satoru Matsuishi 1 , Toshio Kamiya 1, 3 , Hideo Hosono 1, 3
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描述了抗萤石型化合物Mg 2 Si的电子结构，其中短阳离子-阳离子接触的亚晶格产生了非常低的最小导带。由于Mg 2 Si在没有故意掺杂的情况下显示n型导电性，因此本结果表明，由阳离子定义的笼子在载流子传输中起着至关重要的作用，类似于无机电子，例如12 CaO· 7 Al 2 O 3：e -和Ca 2中最小的Mg之间导带的位置N的明显的差别2 Si和同构相的Na 2S是根据诸如Si / S 3s轨道与阳离子能级的相互作用强度之类的因素来解释的，其中S 3s的更类核的特性导致在Γ点处的导带能量相对较低。基于这些结果和先前对电子的研究，可以设计出一些方法来控制半导体中阳离子亚晶格的能级。
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更新日期：2017-08-09
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