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硅掺杂氧化锌透明导电氧化物；纳米粒子优化，放大和薄膜沉积
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2017-08-03 00:00:00 , DOI: 10.1039/c7tc02175e
D. P. Howard 1, 2, 3, 4 , P. Marchand 1, 2, 3, 4 , C. J. Carmalt 1, 2, 3, 4 , I. P. Parkin 1, 2, 3, 4 , J. A. Darr 1, 2, 3, 4
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2017-08-03 00:00:00 , DOI: 10.1039/c7tc02175e
D. P. Howard 1, 2, 3, 4 , P. Marchand 1, 2, 3, 4 , C. J. Carmalt 1, 2, 3, 4 , I. P. Parkin 1, 2, 3, 4 , J. A. Darr 1, 2, 3, 4
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硅掺杂的氧化锌Zn1-xSixOy，透明导电氧化物纳米粒子是使用实验室规模（生产率为60 g h-1）连续水热流合成（CHFS）工艺在0.25至3.0 at％Si的掺杂剂范围内制备的。将材料的电阻率评估为压制的热处理丸粒，表明具有最低电阻率（3.5 x 10-2Ωcm）的样品适用于0.25 at％的Si掺杂的ZnO样品。然后，使用较大的中试工厂CHFS工艺将这种最佳组成的合成放大至350 g h-1。旋涂所得纳米粉浆的浆液，然后进行适当的热处理，制得的薄膜的光透射率> 80％，电阻率低至2.4 x 10-3Ωcm，载流子浓度为1.02 x 1020 cm- 3和迁移率11 cm2 V-1 s-1，
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更新日期：2017-08-03
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