用Zn / In比研究Cu掺杂的Zn-In-Se量子点的光致发光机理,The Journal of Physical Chemistry C

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用Zn / In比研究Cu掺杂的Zn-In-Se量子点的光致发光机理
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2017-08-01 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b04327
Xiaofei Dong ₁ , Jianping Xu ₁ , Xiaosong Zhang ₁ , Shaobo Shi ₂ , Hui Yang ₁ , Zhaojun Mo ₁ , Lan Li ₁ , Shougen Yin ₁

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我们研究了掺杂铜的Zn-In-Se量子点（QDs）的成分依赖性光致发光（PL）光谱，以确定带间跃迁的辐射复合机理。随着Zn / In比值的增加，主要的宽光谱发射会在648至552 nm处发生系统的蓝移，并在465 nm处出现一个固定的窄峰。基于高分辨率透射电子显微镜确定的近乎恒定的3.2 nm纳米颗粒尺寸，可以排除Zn / In比的量子尺寸效应。X射线衍射和拉曼结果表明，在所有样品中均形成了包括ZnIn ₂ Se ₄，ZnSe和In ₂ Se _3的多相，以及占据Zn ^2+的Cu ²⁺离子。QD晶格中的位点。铜掺杂的Zn-In-Se量子点中的能带结构是通过紫外可见吸收光谱和循环伏安曲线确定的，并且利用PL和PL激发光谱可以识别出间隙中的缺陷水平。增强的465 nm发射归因于增加的ZnSe相成分中的锌间隙（Zn _i）缺陷。宽带中的较大蓝移归因于Zn _i和铟锌反位点（In _Zn）供体水平随着平均传导边缘上移而上升。

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更新日期：2017-08-02

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