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横向多层/单层MoS2异质结，用于高性能光电探测器应用。
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2017-07-03 , DOI: 10.1038/s41598-017-04925-w Mengxing Sun , Dan Xie , Yilin Sun , Weiwei Li , Changjiu Teng , Jianlong Xu
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2017-07-03 , DOI: 10.1038/s41598-017-04925-w Mengxing Sun , Dan Xie , Yilin Sun , Weiwei Li , Changjiu Teng , Jianlong Xu
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受二维材料独特的，取决于厚度的能带结构的启发，我们研究了基于剥落的横向多层/单层MoS 2异质结的光电探测器的电子和光学特性。在V gs = 10 V时，整流比为10 3时，观察到了良好的栅极可调电流整流特性，这可能为异质结的存在提供了证据。从紫外线照射到可见光后，多层/单层MoS 2异质结显示出出色的光电检测性能，光敏度为10 3 A / W，光敏度为1.7×10 5，检测度为7×10 10琼斯在470 nm的光照下。观察和分析了正栅极电压下的异常光响应，这表明异质结在光电流产生过程中的重要作用。我们相信，这些结果有助于更好地理解多层/单层MoS 2异质结的能带对准的基本物理原理，并为新型电子和光电器件提供可行的解决方案。
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更新日期：2017-07-03
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