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单层 MoS2/WSe2 异质结中能带排列的测定。
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2015-Jul-16 , DOI: 10.1038/ncomms8666
Ming-Hui Chiu,Chendong Zhang,Hung-Wei Shiu,Chih-Piao Chuu,Chang-Hsiao Chen,Chih-Yuan S. Chang,Chia-Hao Chen,Mei-Yin Chou,Chih-Kang Shih,Lain-Jong Li
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二维电子材料的出现激发了基于过渡金属二硫属化物异质结构的新型电子和光子器件的提议。在这里，我们报告了使用微束 X 射线光电子能谱和扫描隧道显微镜/光谱法测定过渡金属二硫属化物异质结构中的能带偏移。我们确定 MoS2 和 WSe2 之间的 II 型排列，价带偏移值为 0.83 eV，导带偏移值为 0.76 eV。第一性原理计算表明，在这种具有不同硫族原子的异质结构中，由于层间耦合较弱，WSe2和MoS2的电子结构在各自的层中得到了很好的保留。此外，从密度泛函理论得到了0.94 eV的价带偏移，与实验测定一致。
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