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硅金辅助化学刻蚀的非线性刻蚀速率
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2017-05-16 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsomega.7b00232 Keorock Choi 1, 2 , Yunwon Song 1, 2 , Bugeun Ki 1, 2 , Jungwoo Oh 1, 2
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2017-05-16 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsomega.7b00232 Keorock Choi 1, 2 , Yunwon Song 1, 2 , Bugeun Ki 1, 2 , Jungwoo Oh 1, 2
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我们展示了时间依赖性的Au辅助化学蚀刻Si基板的质量传输机制。蚀刻速率和表面拓扑的变化与催化剂特征和蚀刻持续时间相关。非线性蚀刻特性与针孔和晶须的形成有关。随晶须密度变化的质量传输速率是硅的非线性刻蚀速率的原因。金催化剂上的纳米针孔促进了反应物和副产物的垂直传质，从而极大地改变了硅的蚀刻速率，表面拓扑和孔隙率。建议的传输模型描述了瞬时质量传输和相应的化学反应。
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更新日期：2017-05-16
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