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XAFS光谱研究无定形SiO2和γ-Al2O3上的Cu(II)吸附:底物和时间对吸附络合物的影响。
Journal of Colloid and Interface Science ( IF 9.4 ) Pub Date : 1998 Dec 1 , DOI: 10.1006/jcis.1998.5678
Sing-Foong Cheah , Gordon E. Brown , George A. Parks
Journal of Colloid and Interface Science ( IF 9.4 ) Pub Date : 1998 Dec 1 , DOI: 10.1006/jcis.1998.5678
Sing-Foong Cheah , Gordon E. Brown , George A. Parks
我们已经使用X射线吸收精细结构(XAFS)光谱研究了高表面积无定形二氧化硅(am-SiO2)和γ-Al2O3上的Cu(II)吸附络合物。对于γ-Al2O3上的Cu(II),对固-固总接触时间为80-170 h后收集的XAFS数据进行分析,结果表明,单体Cu(II)种类占优势,表面覆盖率为0.007和0.05 micromol m-2。γ-Al2O3表面上的Cu(II)在约2.8 A处具有第二个铝邻域。几何考虑表明,该距离与Cu(II)以内球二齿或单齿模式结合到γ-Al2O3表面的模型一致。 Al(O,OH)6八面体。对于吸附在am-SiO2上的Cu(II),分析80-110 h的固-固总接触时间后收集的XAFS数据表明,二聚Cu(II)-表面配合物占主导地位,以及少数单体Cu(II)表面物质,分别为0.03和0.05 micromol m-2。XAFS衍生的Cu-Si距离在2.98至3.05 A的范围内,表明Cu(II)以内球单齿方式与am-SiO2结合。在20-30小时的总接触时间后收集到的吸附在am-SiO2上的Cu(II)的XAFS光谱与80-90 h的接触时间之后收集到的XAFS光谱在数量上有所不同。这些光谱的分析表明,二聚体与单体Cu(II)表面配合物的比例随着接触时间的增加而增加。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu(II)配合物的过程。版权所有1998学术出版社。提示Cu(II)以内球单齿方式与am-SiO2结合。在20-30小时的总接触时间后收集到的吸附在am-SiO2上的Cu(II)的XAFS光谱与80-90 h的接触时间之后收集到的XAFS光谱在数量上有所不同。这些光谱的分析表明,二聚体与单体Cu(II)表面配合物的比例随着接触时间的增加而增加。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu(II)配合物的过程。版权所有1998学术出版社。提示Cu(II)以内球单齿方式与am-SiO2结合。在20-30小时的总接触时间后收集到的吸附在am-SiO2上的Cu(II)的XAFS光谱与80-90 h的接触时间之后收集到的XAFS光谱在数量上有所不同。这些光谱的分析表明,二聚体与单体Cu(II)表面配合物的比例随着接触时间的增加而增加。讨论了负责在am-SiO2和gamma-Al2O3上形成不同的Cu(II)配合物的过程。版权所有1998学术出版社。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu(II)配合物的过程。版权所有1998学术出版社。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu(II)配合物的过程。版权所有1998学术出版社。
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更新日期:2017-01-31

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