我们已经使用X射线吸收精细结构（XAFS）光谱研究了高表面积无定形二氧化硅（am-SiO2）和γ-Al2O3上的Cu（II）吸附络合物。对于γ-Al2O3上的Cu（II），对固-固总接触时间为80-170 h后收集的XAFS数据进行分析，结果表明，单体Cu（II）种类占优势，表面覆盖率为0.007和0.05 micromol m-2。γ-Al2O3表面上的Cu（II）在约2.8 A处具有第二个铝邻域。几何考虑表明，该距离与Cu（II）以内球二齿或单齿模式结合到γ-Al2O3表面的模型一致。 Al（O，OH）6八面体。对于吸附在am-SiO2上的Cu（II），分析80-110 h的固-固总接触时间后收集的XAFS数据表明，二聚Cu（II）-表面配合物占主导地位，以及少数单体Cu（II）表面物质，分别为0.03和0.05 micromol m-2。XAFS衍生的Cu-Si距离在2.98至3.05 A的范围内，表明Cu（II）以内球单齿方式与am-SiO2结合。在20-30小时的总接触时间后收集到的吸附在am-SiO2上的Cu（II）的XAFS光谱与80-90 h的接触时间之后收集到的XAFS光谱在数量上有所不同。这些光谱的分析表明，二聚体与单体Cu（II）表面配合物的比例随着接触时间的增加而增加。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu（II）配合物的过程。版权所有1998学术出版社。提示Cu（II）以内球单齿方式与am-SiO2结合。在20-30小时的总接触时间后收集到的吸附在am-SiO2上的Cu（II）的XAFS光谱与80-90 h的接触时间之后收集到的XAFS光谱在数量上有所不同。这些光谱的分析表明，二聚体与单体Cu（II）表面配合物的比例随着接触时间的增加而增加。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu（II）配合物的过程。版权所有1998学术出版社。提示Cu（II）以内球单齿方式与am-SiO2结合。在20-30小时的总接触时间后收集到的吸附在am-SiO2上的Cu（II）的XAFS光谱与80-90 h的接触时间之后收集到的XAFS光谱在数量上有所不同。这些光谱的分析表明，二聚体与单体Cu（II）表面配合物的比例随着接触时间的增加而增加。讨论了负责在am-SiO2和gamma-Al2O3上形成不同的Cu（II）配合物的过程。版权所有1998学术出版社。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu（II）配合物的过程。版权所有1998学术出版社。讨论了负责在am-SiO2和γ-Al2O3上形成不同的Cu（II）配合物的过程。版权所有1998学术出版社。



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