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基于横向中孔GaN的高探测紫外线光电探测器
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2017-03-24 00:00:00 , DOI: 10.1039/c7nr01290j Lei Liu , Chao Yang , Amalia Patanè , Zhiguo Yu , Faguang Yan , Kaiyou Wang , Hongxi Lu , Jinmin Li , Lixia Zhao
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2017-03-24 00:00:00 , DOI: 10.1039/c7nr01290j Lei Liu , Chao Yang , Amalia Patanè , Zhiguo Yu , Faguang Yan , Kaiyou Wang , Hongxi Lu , Jinmin Li , Lixia Zhao
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电磁光谱的紫外（UV）范围的光电检测器对多种技术有很高的要求，但需要开发新颖的器件结构和材料。在这里，我们报告了基于有序的横向中孔GaN的UV光电探测器的高检测率。我们的设备在紫外线照射下的比探测率最高可达5.3×10 14琼斯 我们将这种高比探测性归因于介孔GaN /金属接触界面的特性：界面处光生空穴的俘获降低了肖特基势垒高度，从而导致较大的内部增益。这些高水平的探测性以及简单的制造工艺为这些横向中孔GaN光电探测器提供了巨大的潜力，可用于需要选择性检测UV范围内的弱光信号的应用中。
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更新日期：2017-05-04
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