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硅量子点中的电子-空穴限制对称性
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-07-10 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b01706 Filipp Mueller 1 , Georgios Konstantaras 1 , Paul C. Spruijtenburg 1 , Wilfred G. van der Wiel 1 , Floris A. Zwanenburg 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-07-10 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b01706 Filipp Mueller 1 , Georgios Konstantaras 1 , Paul C. Spruijtenburg 1 , Wilfred G. van der Wiel 1 , Floris A. Zwanenburg 1
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我们报告了本征硅中栅极定义的双极性量子点的电迁移测量。双极性允许其作为电子或空穴量子点运行，我们在每种状态下通过20个电荷载流子来改变其点占有率。电子-空穴限制的对称性可以通过提取的栅极电容和充电能量来证明。结果表明，双极性量子点为基于自旋的量子信息处理提供了巨大的潜力，因为可以在相同的晶体环境中比较和操纵受限的电子和空穴。
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更新日期：2015-07-10
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