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厚度可调的MoS2量子点薄层的直接合成:光学,结构和电学性质及其在析氢中的应用
Nano Energy ( IF 16.8 ) Pub Date : 2017-03-25 08:59:42 Dhanasekaran Vikraman, Kamran Akbar, Sajjad Hussain, Geonwook Yoo, Ji-Yun Jang, Seung-Hyun Chun, Jongwan Jung, Hui Joon Park
Nano Energy ( IF 16.8 ) Pub Date : 2017-03-25 08:59:42 Dhanasekaran Vikraman, Kamran Akbar, Sajjad Hussain, Geonwook Yoo, Ji-Yun Jang, Seung-Hyun Chun, Jongwan Jung, Hui Joon Park
我们报告了双层或几层结晶二硫化钼(MoS 2)薄层的层厚度可调直接合成生长方法。首次针对基于量子点(QD)的MoS 2层使用(NH 4)6 Mo 7 O 24和硫脲(CH 4 N 2S)作为前体。使用该方法,可以保持大面积薄层的均匀性,并且在制造各种原子薄层结构时,对各种基板的适用性可以提供很大的机会。系统地研究了MoS 2 QD层的结构和光学性质。拉曼光谱,原子力显微镜和透射电镜分析证实了连续的和结晶的双层,三层和很少层的MoS 2的形成。它们的电性能通过底栅FET进行评估,获得的场效应迁移率值为〜1.06cm 2 V -1 s -1,电流开/关比约为10 5。特别是MoS 2制成由晶粒的QD结构组成的薄膜显示出新颖的电催化性能。事实证明,Au / Si上的MoS 2 QDs是用于氢气析出反应的优良电催化剂,具有Tafel斜率(94mVdecade -1),交换电流密度(1.91×10 -1 mAcm -2)和20h的长期耐久性。我们的方法为功能性MoS 2层的设计和合成开辟了新途径,以进行能量收集。
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更新日期:2017-03-26
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