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存储器设备：基于原位TEM研究的基于HfO2的电阻随机存取存储器中切换过程中纳米丝演化的直接观察（Adv。Mater。10/2017）
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2017-03-08 , DOI: 10.1002/adma.201770065
Chao Li 1 , Bin Gao 2 , Yuan Yao 1 , Xiangxiang Guan 1, 3 , Xi Shen 1 , Yanguo Wang 1 , Peng Huang 2 , Lifeng Liu 2 , Xiaoyan Liu 2 , Junjie Li 1 , Changzhi Gu 1 , Jinfeng Kang 2 , Richeng Yu 1, 3
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2017-03-08 , DOI: 10.1002/adma.201770065
Chao Li 1 , Bin Gao 2 , Yuan Yao 1 , Xiangxiang Guan 1, 3 , Xi Shen 1 , Yanguo Wang 1 , Peng Huang 2 , Lifeng Liu 2 , Xiaoyan Liu 2 , Junjie Li 1 , Changzhi Gu 1 , Jinfeng Kang 2 , Richeng Yu 1, 3
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姜锦丰，于日成及其同事在编号为1602976的电子全息图和原位能量过滤成像中证明了HfO 2中的电阻转换过程。结果表明，在倾斜的电偏压下，氧化层中逐渐产生了氧空位，从而形成了导电通道，并且在氧化f层的顶部界面处发生了开关过程。
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更新日期：2017-03-08
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