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插层半导体的长期结构演变
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2017-03-01 , DOI: 10.1002/adfm.201605038
Annabel R. Chew 1 , Jose J. Fonseca 2, 3 , Oscar D. Dubon 2, 3 , Alberto Salleo 1
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插入的分子可以显着改变层状半导体的电子能带结构,从而显着改变材料的光学性能。在层状单硫属化物碲化镓(GaTe)中,由于层间扩散和氧的化学吸附,暴露于空气中会导致其带隙降低近1 eV。然而,在Te端表面上的化学吸附对GaTe结构的影响尚不为人所知。为了更好地了解嵌入的GaTe的结构与性质之间的关系,已对暴露于环境条件下的GaTe脱落晶体进行了系统的,长期的X射线衍射研究。可以观察到,结构变化不仅限于先前观察到的晶格膨胀的短期增加。在剥落后的几个月甚至几年的过程中,氧吸附物继续修饰GaTe的结构,导致明显的紊乱和晶粒重新定向。据估计,插入的氧气使每两个晶粒中的约一个略微移位,这表明晶粒镶嵌性显着增加,同时仍保持原始的{−2 0 1}面外纹理。将这些结构转变与观察到的电学和光学性质的变化相关联,将能够使使用吸附剂的资本化,从而在这些层状材料中工程化新的性质。据估计,插入的氧气使每两个晶粒中的约一个略微移位,这表明晶粒镶嵌性显着增加,同时仍保持原始的{−2 0 1}面外纹理。将这些结构转变与观察到的电学和光学性质的变化相关联,将能够使使用吸附剂的资本化,从而在这些层状材料中工程化新的性质。据估计,插入的氧气使每两个晶粒中的约一个略微移位,这表明晶粒镶嵌性显着增加,同时仍保持原始的{−2 0 1}面外纹理。将这些结构转变与观察到的电学和光学性质的变化相关联,将能够使使用吸附剂的资本化,从而在这些层状材料中工程化新的性质。



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更新日期:2017-03-01
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