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通过表面受限氧化还原置换单电池中不足位沉积的H来沉积Pd超薄膜的电化学原子层沉积
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2017-02-16 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b12794
Innocent Achari 1 , Stephen Ambrozik 1 , Nikolay Dimitrov 1
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这项工作说明了表面限制氧化还原置换(SLRR)协议在单电池中使用欠电位沉积的H(H UPD)作为牺牲介体的Pd超薄膜在Au上的电化学原子层沉积(E-ALD)的应用。本文介绍的简便沉积方法既不需要使用复杂的仪器,也不需要除Pd(II)氯化物络合物以外的金属离子的存在。这提供了最大的生长效率,并消除了沉积物的潜在污染,从而使Pd沉积成为“更绿色”的过程。通过开路计时电位法监测生长进度,同时通过H UPD和Cu的循环伏安法(CV)评估相应沉积的Pd膜的粗糙度演变UPD。CV结果表明,在长达30个SLRR循环(20个当量单层)的情况下,会沉积出光滑的Pd膜,然后迅速过渡到更高厚度的枝晶生长。通过原位扫描隧道显微镜,还证实了准2D的生长,可导致平滑且均匀的Pd膜形态。对Pd膜剥离实验结果的分析证实了这些发现。通过使用通用生长模型对不同厚度的Pd膜进行剥离所获得的电荷的比较表明,不仅吸附的而且吸收的H UPD参与了与[PdCl 4 ] 2–的氧化还原交换。配比为2:1的化学计量比。提出的用于无污染Pd沉积的简便SLRR方法提供了无与伦比的简便性,并且还可以扩展到具有强H亲和力的其他导电衬底。



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更新日期:2017-02-16
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