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解决方案-生长的C60和（3-吡咯鎓）（CdCl3）单晶用于高迁移率基于晶体管的存储设备
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2015-07-01 , DOI: 10.1002/adma.201501577 Jiake Wu 1 , Congcheng Fan 1 , Guobiao Xue 1 , Tao Ye 1 , Shuang Liu 1 , Ruoqian Lin 2 , Hongzheng Chen 1 , Huolin L. Xin 2 , Ren-Gen Xiong 3 , Hanying Li 1
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2015-07-01 , DOI: 10.1002/adma.201501577 Jiake Wu 1 , Congcheng Fan 1 , Guobiao Xue 1 , Tao Ye 1 , Shuang Liu 1 , Ruoqian Lin 2 , Hongzheng Chen 1 , Huolin L. Xin 2 , Ren-Gen Xiong 3 , Hanying Li 1
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（3-吡咯鎓）（CdCl 3）的排列铁电单晶可以使用正交溶剂在对齐的半导体C 60单晶顶部的溶液中制备。与仅C 60单晶相比，基于这些铁电/半导体双层异质结的存储器件表现出更大的磁滞。更重要的是，铁电层的引入会引起存储窗口，而不会显着降低电荷迁移率。
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更新日期：2015-07-01
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京公网安备 11010802027423号