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还原和氧化的TbO x(111)表面上的甲醇吸附和氧化
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2016-12-13 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b09908
A. Schaefer 1 , W. Cartas 2 , R. Rai 2 , M. Shipilin 1 , L. R. Merte 1 , E. Lundgren 1 , J. F. Weaver 2
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2016-12-13 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b09908
A. Schaefer 1 , W. Cartas 2 , R. Rai 2 , M. Shipilin 1 , L. R. Merte 1 , E. Lundgren 1 , J. F. Weaver 2
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我们使用程序升温反应光谱(TPRS)和基于同步辐射的光电子能谱(PES)研究了甲醇(CH 3 OH)在Tb 2 O 3(111)和TbO 2(111)薄膜上的吸附和氧化生长在Pt(111)上。我们发现,甲醇主要通过分子过程和重组过程从Tb 2 O 3表面解吸,并且相对少量的吸附甲醇(<20%)脱氢成CH 2 O和H 2 O,这些物质解吸的程度约为160-200 nm。 300K。氧化氧化bia膜可提高表面反应性,因为大约50%的甲醇被吸附在TbO 2上在TPRS期间,主要被氧化为CH 2 O和水以及在600 K附近解吸的CO 2。产物产率的定量表明,在TPRS期间,通过与吸附的CH 3 OH反应,除去了由Tb 2 O 3氧化为TbO 2引起的所有多余的表面O原子。在任何条件下,我们都没有检测到CO或H 2的产生。PES测量表明,在低至140 K的温度下,TbO x表面上会形成几种吸附的中间体,主要包括甲氧基(CH 3 O-)以及少量的更易氧化的物质,被认为是CH 2 O 2。或CHO 2。随表面温度变化而收集的XPS光谱提供了证据,表明在低于400 K的温度下,吸附的CH 3 O–基团是CH 2 O和CH 3 OH形成的主要中间体,而氧化程度更高的物质是CH 2 ö形成,但经历完全氧化上TBO 2在温度高于450 K.的TBO的高反应性2与被所述Tb中的氧化过程中产生的不稳定的氧原子的存在表面相关因素2 ö 3膜。
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更新日期:2016-12-13

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