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顺磁性和反磁性分子半导体自组装体中可能的室温铁磁性
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2016-11-23 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.6b02063 Barun Dhara 1 , Kartick Tarafder 2 , Plawan K. Jha 1 , Soumendra N. Panja 3 , Sunil Nair 3 , Peter M. Oppeneer 4 , Nirmalya Ballav 1
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2016-11-23 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.6b02063 Barun Dhara 1 , Kartick Tarafder 2 , Plawan K. Jha 1 , Soumendra N. Panja 3 , Sunil Nair 3 , Peter M. Oppeneer 4 , Nirmalya Ballav 1
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由于较长的自旋弛豫时间和化学可定制的物理性质，基于分子的半导体材料（如金属酞菁）可提供常规的稀磁半导体/氧化物（DMS / DMO）的有希望的替代品，以实现室温（RT）铁磁性。但是，到目前为止，在RT上同时显示半导电性和磁序性的基于空气稳定分子的材料仍然难以捉摸。我们在这里提出超分子排列的概念，以实现可能的RT铁磁性。具体而言，我们观察到清晰的磁滞回路（ħ Ç在磁化对字段在300K≈120奥斯特）（M-H）反磁性的Zn酞菁具有外围F原子（ZnFPc自组装合奏的曲线图;小号= 0）和具有沿周氢原子（FePc; S = 1）的顺磁性Fe-酞菁。自组装的FePc···ZnFPc集成体的Tauc图显示了约1.05 eV的光学带隙，与温度相关的电流-电压（IV）研究表明该材料具有半导体特性。使用DFT + U量子化学计算，我们揭示了超分子FePc···ZnFPc系统中这种异常的铁磁交换相互作用的起源。
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更新日期：2016-11-23
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