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通过H2O2（g）官能化在MIS结构的Si0.5Ge0.5（110）上形成原子有序和化学选择性的Si-O-Ti单层
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2016-11-14 15:17:20 , DOI: 10.1063/1.4966690 Sang Wook Park 1 , Jong Youn Choi 1 , Shariq Siddiqui 2 , Bhagawan Sahu 2 , Rohit Galatage 2 , Naomi Yoshida 3 , Jessica Kachian 3 , Andrew C. Kummel 1, 4
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2016-11-14 15:17:20 , DOI: 10.1063/1.4966690 Sang Wook Park 1 , Jong Youn Choi 1 , Shariq Siddiqui 2 , Bhagawan Sahu 2 , Rohit Galatage 2 , Naomi Yoshida 3 , Jessica Kachian 3 , Andrew C. Kummel 1, 4
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使用原子H，过氧化氢（H 2 O 2）和四（二甲基氨基）钛（TDMAT）或四氯化钛（TiCl 4）对Si 0.5 Ge 0.5（110）表面进行钝化和功能化，并使用多种光谱技术进行原位研究。为了钝化悬空键，使用了原子H和H 2 O 2（g），并且扫描隧道光谱（STS）证明了表面费米能级的未固定。H 2 O 2（g）也可用于功能化金属原子层沉积的表面。在随后的TDMAT或TiCl 4之后定量给料，然后进行沉积后退火，扫描隧道显微镜，证明热稳定且有序的TiO x单层沉积在Si 0.5 Ge 0.5（110）上，并且X射线光电子能谱验证了界面仅包含Si- O-Ti键和GeO x完全不存在。STS测量证实了TiO x单层没有中间间隙和导带边缘状态，这应该是金属-绝缘体-半导体结构中的理想超薄绝缘层。无论Ti前体如何，最终的Ti密度和电子结构都是相同的，因为Ti的键合受Ti与O的高配位限制。
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更新日期：2016-11-15
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