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基于铁电金属/铁电半导体结的非易失性存储器件
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2025-01-15 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c05887
Yan Li 1 , Yulin Yang 1 , Hanzhang Zhao 1 , Hongxu Duan 1 , Chao Yang 1 , Tai Min 1, 2, 3 , Tao Li 1
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铁电隧道结 （FTJ） 因其低功耗和非易失性而成为后摩尔非易失性存储器的竞争候选者，其性能在很大程度上取决于铁电材料和金属电极之间的接触条件。近年来二维材料的发展提供了新的机会，例如功能性金属层，这对传统的 FTJ 系统来说是一个挑战。在这里，我们介绍了新发现的铁电金属 WTe2 作为构建 WTe2/α-In2Se3/Au 铁电半导体结的电极。范德华电极中的铁电体和隧道结之间的相互作用导致了新的器件特性的出现，包括伴随的多电阻水平、低开关电压 （<2 V） 和高开/关比 （>105）。使用铁电金属作为铁电隧道/半导体结的电极为低功耗和高密度铁电存储器件提供了一种替代方法。
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