采用传统固相法制备了纯 Na5Lu（MoO4）4 （NLM） 陶瓷，并采用先进的仪器进行了表征。根据 XRD 图谱和 Rietveld 细化，NLM 陶瓷为具有 I41/a 空间群的四方结构。通过扫描电子显微镜 （SEM） 测量陶瓷的微观形貌。通过拉曼光谱分析了 NLM 陶瓷的晶格动力学信息。基于 Phillips-van Vechten-Levine 理论 （P-V-L） 计算和分析了陶瓷的化学键特性。Mo-O 键具有更高的 fi 和 U，这表明它们对 NLM 陶瓷的介电性能有积极影响。NLM 陶瓷在 600 °C 时表现出最佳介电性能 （εr ∼7.10， Q × f ∼35， 717 GHz， τf ∼ − 62.23 ppm/°C），并且低烧结温度（低于 960 °C）可用于 LTCC 技术。通过太赫兹时域光谱 （THz − tds） 测量了 NLM 陶瓷在 0.3–1.3 THz 波段的介电行为，这显示出在未来通信中的良好应用前景。



"点击查看英文标题和摘要"