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GaSe/NbSe2 范德华异质结构中的栅极控制超导开关
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2025-01-02 , DOI: 10.1021/acsnano.4c13683
Yifan Ding 1, 2 , Chenyazhi Hu 1, 2 , Wenhui Li 3 , Lan Chen 3 , Jiadian He 1, 2 , Yiwen Zhang 1, 2 , Xiaohui Zeng 1, 2 , Yanjiang Wang 1, 2 , Peng Dong 1, 2 , Jinghui Wang 1, 2 , Xiang Zhou 1, 2 , Yueshen Wu 1 , Yulin Chen 1, 2, 4 , Jun Li 1, 2
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随着半导体工程接近量子极限,以及量子计算的不断发展,对低功耗器件的需求正在上升。二维 (2D) 超导体由于其丰富的物理特性,在基础物理学和超导集成电路和量子计算中的潜在应用都具有重要前景。在这里,我们报道了 GaSe/NbSe2 范德华 (vdW) 异质结构中的栅极控制超导开关。通过在电场下将高能电子注入 NbSe2,诱导非平衡状态,从而显着调节超导特性。由于铁电 GaŠe 的固有极化,实现了更陡峭的亚阈值斜率和不对称调制,这对器件性能有利。基于这些结果,实现了一种超导开关,它可以在电场下在超导和正常状态之间可逆和可控地切换。我们的研究结果强调了在结合超导体和铁电半导体的 2D vdW 异质结构中频带工程的显着高能注入效应,并展示了在超导集成电路中应用的潜力。

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