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A Fully Row/Column-Parallel MRAM In-Memory Computing Macro With Memory-Resistance Boosting and Weighted Multi-Column ADC Readout
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-12-16 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3512360 Peter Deaville, Bonan Zhang, Naveen Verma
中文翻译：
完全行/列并行的 MRAM 内存计算宏，具有内存电阻提升和加权多列 ADC 读出功能
更新日期：2024-12-16
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-12-16 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3512360 Peter Deaville, Bonan Zhang, Naveen Verma
中文翻译：
完全行/列并行的 MRAM 内存计算宏，具有内存电阻提升和加权多列 ADC 读出功能
京公网安备 11010802027423号