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Potential thermoelectric material Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) with ultralow lattice thermal conductivity
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2024-12-10 , DOI: 10.1039/d4cp04000g Xiefei Song, Guangzhao Wang, Wenzhong Li, Siyu Gan, Yan Cai, Dianxu Ma, Yuhui Luo, Yao He, Ning Wang
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2024-12-10 , DOI: 10.1039/d4cp04000g Xiefei Song, Guangzhao Wang, Wenzhong Li, Siyu Gan, Yan Cai, Dianxu Ma, Yuhui Luo, Yao He, Ning Wang
The demand for sustainable energy solutions has driven intensive research into advanced thermoelectric (TE) materials, to harness waste heat for efficient power generation. Recently, several studies have revealed that Tl3VS4 possesses an ultralow lattice thermal conductivity, despite its simple body-centered cubic lattice structure. This paper focuses on the TE properties of Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) compounds through a systematic exploration utilizing first-principles calculations and semiclassical Boltzmann transport theory. The results of the AIMD simulation and phonon calculation reveal the excellent dynamic stability and thermal stability of Tl3XS4 at 300, 500, and 700 K. Moreover, we find that the Tl3XS4 compounds present ultralow lattice thermal conductivity (<0.5 W m−1 K−1 at 300 K), and the nanostructure strategy is effective. Based on the outstanding Seebeck coefficient and ultralow lattice thermal conductivity, the optimal ZT values of Tl3VS4, Tl3NbS4, and Tl3TaS4 at 300 K are determined to be 1.17 (p-type), 0.84 (n-type), and 0.65 (p-type), respectively. Additionally, at each considered temperature, the maximum ZT values of p-type (n-type) Tl3XS4 follow the order: Tl3VS4 > Tl3NbS4 > Tl3TaS4 (Tl3NbS4 > Tl3VS4 > Tl3TaS4). Our results demonstrate that Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) compounds are promising thermoelectric materials. This exhaustive research enhanced our nuanced comprehension of the electronic, dynamic, and thermoelectric attributes of Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta), thereby offering valuable insights into the TE field.
中文翻译:
具有超低晶格热导率的电位热电材料 Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta)
对可持续能源解决方案的需求推动了对先进热电 (TE) 材料的深入研究,以利用废热实现高效发电。最近,几项研究表明,Tl3VS4 具有超低的晶格热导率,尽管其具有简单的体心立方晶格结构。本文通过利用第一性原理计算和半经典玻尔兹曼输运理论进行系统探索,重点介绍了 Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) 化合物的 TE 性质。AIMD 模拟和声子计算的结果揭示了 Tl3XS4 在 300、500 和 700 K 下优异的动态稳定性和热稳定性。此外,我们发现 Tl3XS4 化合物具有超低的晶格热导率(300 K 时 <0.5 W m-1 K-1),纳米结构策略是有效的。基于出色的塞贝克系数和超低晶格热导率,在 300 K 下 Tl3VS4、Tl3NbS4 和 Tl3TaS4 的最佳 ZT 值分别为 1.17(p 型)、0.84(n 型)和 0.65(p 型)。 此外,在每个考虑的温度下,p 型(n 型)Tl3XS4 的最大 ZT 值遵循以下顺序:Tl3VS4 > Tl3NbS4 > Tl3TaS4 (Tl3NbS4 > Tl3VS4 > Tl3TaS4)。我们的结果表明,Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) 化合物是很有前途的热电材料。这项详尽的研究增强了我们对 Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) 的电子、动力学和热电特性的细致理解,从而为 TE 领域提供了有价值的见解。
更新日期:2024-12-10
中文翻译:
具有超低晶格热导率的电位热电材料 Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta)
对可持续能源解决方案的需求推动了对先进热电 (TE) 材料的深入研究,以利用废热实现高效发电。最近,几项研究表明,Tl3VS4 具有超低的晶格热导率,尽管其具有简单的体心立方晶格结构。本文通过利用第一性原理计算和半经典玻尔兹曼输运理论进行系统探索,重点介绍了 Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) 化合物的 TE 性质。AIMD 模拟和声子计算的结果揭示了 Tl3XS4 在 300、500 和 700 K 下优异的动态稳定性和热稳定性。此外,我们发现 Tl3XS4 化合物具有超低的晶格热导率(300 K 时 <0.5 W m-1 K-1),纳米结构策略是有效的。基于出色的塞贝克系数和超低晶格热导率,在 300 K 下 Tl3VS4、Tl3NbS4 和 Tl3TaS4 的最佳 ZT 值分别为 1.17(p 型)、0.84(n 型)和 0.65(p 型)。 此外,在每个考虑的温度下,p 型(n 型)Tl3XS4 的最大 ZT 值遵循以下顺序:Tl3VS4 > Tl3NbS4 > Tl3TaS4 (Tl3NbS4 > Tl3VS4 > Tl3TaS4)。我们的结果表明,Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) 化合物是很有前途的热电材料。这项详尽的研究增强了我们对 Tl3XS4 (X = V, Nb, Ta) 的电子、动力学和热电特性的细致理解,从而为 TE 领域提供了有价值的见解。