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A Compact 180-GHz Stacked-FET Oscillator With 11-dBm Output Power and 13.9% DC-to-RF Efficiency in a 45-nm CMOS SOI Process
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-12-05 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3501388 Jingjun Chen, Li Zhang, Hao Wang, Xiaoguang Liu
中文翻译：
紧凑型 180GHz 堆叠式 FET 振荡器，输出功率为 11dBm，直流至射频效率为 13.9%，采用 45nm CMOS SOI 工艺
更新日期：2024-12-05
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-12-05 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3501388 Jingjun Chen, Li Zhang, Hao Wang, Xiaoguang Liu
中文翻译：
紧凑型 180GHz 堆叠式 FET 振荡器，输出功率为 11dBm，直流至射频效率为 13.9%，采用 45nm CMOS SOI 工艺
京公网安备 11010802027423号