<br>通过 γ-InSe 半导体的硒化将 In2Se3 相定制为范德华垂直异质结构,Small Methods

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通过 γ-InSe 半导体的硒化将 In2Se3 相定制为范德华垂直异质结构
Small Methods ( IF 10.7 ) Pub Date : 2024-11-26 , DOI: 10.1002/smtd.202401770
Beituo Liu ₁ , Rui Ge ₁ , Fangyu Yue _{1,

2} , Yufan Zheng ₁ , Fengrui Sui ₁ , Yilun Yu ₁ , Rong Huang _{1,

2} , Ruijuan Qi _{1,

3,

4,

5} , Chungang Duan _{1,

2}

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In2Se3 的多晶性导致出色的相位依赖性物理特性，包括铁电性、光电性，尤其是有趣的相变能力，这使得 In2Se3 的精确相位调制具有根本性，但非常具有挑战性。在这里，In2Se3 具有所需相的生长是通过范德华（vdW）层状块体 γ-InSe 的温度控制硒化来实现的。拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）和最先进的球差校正透射电子显微镜（Cs-TEM）的详细结果清晰一致地表明，β-In2Se3、3R α-In2Se3 和 2H α-In2Se3 分别在 ≈270、≈300 和 ≈600 °C 下可以完美获得。进一步的综合原子成像分析证实，晶种材料 InSe 在 vdW 层状 In2Se3 的低温外延生长中起关键作用，更有趣的是，β-In2Se3 充当 3R 和 2H α-In2Se3 转变之间的中间相。这项研究不仅为 In2Se3 的相位调制提供了一种简单而通用的策略，而且还阐明了 In2Se3 的温度依赖性相演变。

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更新日期：2024-11-26

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