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A 16-kB 65-nm GC-eDRAM Macro With Internal Bias Voltage Generation Providing Over 100-$\mu$s Retention Time
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-11-22 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3489793 Odem Harel, Andac Yigit, Eliana Feifel, Robert Giterman, Andreas Burg, Adam Teman
中文翻译：
一个 16 kB 65 纳米 GC-eDRAM 宏，具有内部偏置电压生成功能，可提供超过 100 $\mu$s 的保留时间
更新日期：2024-11-22
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-11-22 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3489793 Odem Harel, Andac Yigit, Eliana Feifel, Robert Giterman, Andreas Burg, Adam Teman
中文翻译：
一个 16 kB 65 纳米 GC-eDRAM 宏，具有内部偏置电压生成功能，可提供超过 100 $\mu$s 的保留时间
京公网安备 11010802027423号