由于快速电荷复合，纯 ZnO 表现出低光催化 H2O2 产生活性。为了实现光生电子和空穴的空间分离，在 ZnO 表面构建电子转移通道是一种有效的方法。本研究通过在水相光催化系统中引入 NH4F ，成功地使用 F-（ZnO/F）修饰了 ZnO 的表面。F− 通过库仑力吸附在 ZnO 表面，显著提高了 ZnO 的光催化 H2O2 生产性能，最高效率为 4137.2 μmol⋅g−1·L−1·h−1。通过飞秒瞬态吸收光谱 （fs-TAS） 测量从电子转移动力学的角度解释了 ZnO/F 的光催化性能增强机制。F− 表面改性构建了一条从 ZnO CB 到 F− 的新的超快电子传递途径，最佳 ZnO/F 表现出最快的界面电子转移寿命，为 5.8 ps。F− 表面改性有效地促进了电荷分离，从而增加了可用于光催化 H2O2 反应的电子数。本研究揭示了 F− 表面改性在 ZnO 光催化 H 2 O 2 中的作用，并为离子改性以提高光催化性能提供了指导。



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