In this study, we evaluated and characterized the effects of various proton irradiation energies and fluences on the electrical characteristics of SiC MOSFETs using a proton accelerator. The devices under test (DUTs) were fabricated utilizing 1.2 kV SiC MOSFET processes. To assess the impact of total ionizing dose (TID) and displacement damage (DD) on SiC MOSFETs, the DUTs were exposed to protons irradiation at energies of 30 MeV and 100 MeV, under ambient temperature conditions. Additionally, we examined the radiation hardness of DUTs under varying proton fluences, including 1 × 1012 cm−2, 1 × 1013 cm−2, 5 × 1013 cm−2, and 1 × 1014 cm−2.

中文翻译：

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30 MeV 和 100 MeV 质子辐照对 1.2 kV SiC MOSFET 的退化机制


在这项研究中，我们使用质子加速器评估并表征了各种质子照射能量和磁通对 SiC MOSFET 电气特性的影响。被测器件 （DUT） 采用 1.2 kV SiC MOSFET 工艺制造。为了评估总电离剂量 （TID） 和位移损伤 （DD） 对 SiC MOSFET 的影响，在环境温度条件下，DUT 暴露在 30 MeV 和 100 MeV 能量的质子辐照下。此外，我们还检查了 DUT 在不同质子通量下的辐射硬度，包括 1 × 1012 cm-2、1 × 1013 cm-2、5 × 1013 cm-2 和 1 × 1014 cm-2。