In this study, we report on the molecular beam epitaxy and characterization of nitrogen-polar (N-polar) GaN quantum dots (QDs) grown on SiC substrates. By varying the growth conditions, the emission wavelengths of GaN QDs can be controllably tuned across a large part of the ultraviolet-A, B, and C bands. For N-polar QDs emitting at 243 nm, we measured an internal quantum efficiency (IQE) of 86.4% at room temperature, with predominantly transverse-electric (TE) polarized emission. Such N-polar GaN QDs offer a promising path for achieving high-efficiency mid- and deep-ultraviolet optoelectronics, including light-emitting diodes and lasers.

中文翻译：

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在紫外 A、B 和 C 波段具有可调谐发射的氮极性 GaN 量子点


在这项研究中，我们报告了在 SiC 衬底上生长的氮极性 （N-polar） GaN 量子点 （QD） 的分子束外延和表征。通过改变生长条件，GaN QD 的发射波长可以在紫外 A、B 和 C 波段的大部分范围内进行可控调谐。对于在 243 nm 处发射的 N 极量子点，我们在室温下测得的内部量子效率 （IQE） 为 86.4%，主要是横向电 （TE） 极化发射。这种 N 极 GaN QD 为实现高效中深紫外光电子器件（包括发光二极管和激光器）提供了一条有前途的途径。