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大面积单层 Cu3BHT 2D 共轭配位聚合物的电学表征
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2024-11-06 , DOI: 10.1002/adfm.202416717
Sandra M. Estévez 1, 2 , Zhiyong Wang 3, 4 , Tsai‐Jung Liu 4 , Gabriel Caballero 1, 5 , Fernando J. Urbanos 1 , Ignacio Figueruelo‐Campanero 1, 5 , Julia García‐Pérez 1 , Cristina Navío 1 , Miroslav Polozij 4, 6, 7 , Jianjun Zhang 4 , Thomas Heine 4, 6, 7, 8 , Mariela Menghini 1 , Daniel Granados 1 , Xiliang Feng 3, 4 , Renhao Dong 9, 10 , Enrique Cánovas 1
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了解大面积单层 2D 材料的电荷传输特性对于新型光电器件的未来发展至关重要。本工作报道了大面积单层 Cu 3 BHT 2D 共轭配位聚合物的合成和电学表征。Cu 3 BHT 是通过 Langmuir-Blodgett 方法在水面上合成的,然后转移到具有预先图案化电触点的 SiO 2 /Si 衬底上。电气测量显示,在高达 ≈1 cm 2 的区域内具有欧姆响应,在探针间距为 50 μm 时,平均电阻约为 53 ± 3 kΩ。冷却和加热循环显示电响应滞后,表明当样品在温度扫描期间发生结构化学变化时,会形成不同的电流路径。这种滞后在几个循环后消失,电导率显示出稳定的指数行为作为温度的函数,表明温度依赖性的隧穿过程正在控制所分析的多晶单层 Cu 3 BHT 样品中的传导机制。这些结果,连同密度泛函理论计算和价带 X 射线光电子能谱数据表明,单层样品表现出半导体行为而不是金属行为。

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