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VSe2─NbSe2 单层二维横向异质结构中的原子尖锐一维界面
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2024-11-02 , DOI: 10.1021/acsnano.4c10302
Xin Huang 1 , Héctor González-Herrero 1, 2 , Orlando J Silveira 1 , Shawulienu Kezilebieke 3 , Peter Liljeroth 1 , Jani Sainio 1
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范德华异质结构已成为创建工程人工电子态的理想平台。虽然垂直异质结构已得到广泛研究，但实现具有原子尖锐界面的高质量横向异质结构仍然是一个主要的实验挑战。在这里，我们提出了一种一锅两步分子束横向外延方法，并成功合成了原子定义明确的 1T-VSe2─1H-NbSe2 横向异质结构。我们展示了无缺陷横向异质结构的形成，并通过使用扫描隧道显微镜和光谱学以及密度泛函理论计算来表征它们的电子结构。我们在一维界面处发现了额外的电子态，以及侧耦合几何结构中近藤共振的特征。我们的实验探索了横向异质结构在低维系统中实现奇异电子态的全部潜力，以进一步研究人工设计量子材料。
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