Deposition of indium oxide base films for high‐mobility thin film transistors (TFTs) has been an important part in the implementation of high‐resolution and high‐frequency display back panels. In this study, three types of In2O3 (InO) films have been fabricated for TFTs using atomic layer deposition (ALD), pulsed laser deposition (PLD), and solution process, respectively. ALD‐derived InO films show controllable grain formation and optimized TFTs show the field effect mobility of ≈100 cm2 V−1s−1 in both the conventional transistor measurements and critical four‐probe measurements, reaching the level of low‐temperature polycrystalline silicon (LTPS). Combined spectroscopy investigations show that the ALD‐derived InO film features advantages as compared to those of the PLD‐deposited and solution‐processed InO film in providing a smoother surface morphology, good crystallinity, and more orderly atomic growth mode. Moreover, the bias‐stress stability of ALD‐derived TFTs can be improved with further passivation.

中文翻译：

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用于高迁移率 TFT 的氧化铟薄膜的比较研究：ALD、PLD 和固溶工艺


用于高迁移率薄膜晶体管 （TFT） 的氧化铟基膜沉积一直是实现高分辨率和高频显示背板的重要组成部分。在本研究中，分别使用原子层沉积 （ALD）、脉冲激光沉积 （PLD） 和固溶工艺为 TFT 制造了三种类型的 In2O3 （InO） 薄膜。ALD 衍生的 InO 薄膜显示出可控的晶粒形成，优化的 TFT 在常规晶体管测量和关键的四探针测量中都显示出 ≈100 cm2 V-1s-1 的场效应迁移率，达到低温多晶硅 （LTPS） 的水平。联合光谱研究表明，与 PLD 沉积和固溶处理的 InO 薄膜相比，ALD 衍生的 InO 薄膜具有更光滑的表面形态、良好的结晶度和更有序的原子生长模式的优势。此外，ALD 衍生的 TFT 的偏置应力稳定性可以通过进一步钝化来提高。