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基于 CVD 生长的 WSe2 2D 薄膜的阻抗湿度传感器

ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2024-10-17 , DOI: 10.1021/acsaelm.4c00863
Jolly Bhadra 1 , Lucas M. Sassi 2 , Eliezer Fernando Oliveira 2, 3, 4 , Jordan A. Hachtel 5 , Hemalatha Parangusan 1 , Shoaib Alam Mallick 1 , Zubair Ahmad 1 , Douglas S. Galvao 4, 6 , Anand B. Puthirath 2 , Robert Vajtai 2 , Pulickel M. Ajayan 2 , Noora Al-Thani 1
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基于 2D 材料的平面器件因其超薄特性和增加的表面积而具有高灵敏度,因此在气体和湿度传感器应用中受到追捧。在此,制造了基于 2D WSe2 薄膜的规划器设备,以评估它们在湿度传感器中的潜在应用性能。通过拉曼光谱、光致发光、光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM) 技术研究了 WSe2 传感薄膜的结构和形貌。使用电流-电压 (I-V)、相对阻抗和复数总阻抗 (电化学阻抗谱,EIS) 技术评估 2D WSe2 薄膜的相对湿度相关传感性能。该传感器在 18 个月的研究期间显示出非常稳定和可重复的性能。基于 WSe2 的阻抗传感器的响应和恢复时间分别为 40 和 30 s。WSe2 传感器在较低湿度水平 (50% RH) 下表现出 2 ± 1% 的最小滞后,在相对湿度水平 (70% RH) 下表现出大约 8 ± 2% 的最大滞后。在对任何材料进行初步研究以探索其在湿度传感器中的应用潜力时,该磁滞值都在可接受的范围内。密度泛函理论 (DFT) 分析与 WSe2 样品的水分子相互作用,以更好地了解器件的传感机制。




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更新日期:2024-10-17
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