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使用 MoS2/Au Moiré 界面在 MoS2 中热成像图案化的单个缺陷
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2024-09-25 , DOI: 10.1021/acsnano.4c07212 Yang Bao, JingJing Shao, Hai Xu, Jiaxu Yan, Peng-Tao Jing, Jilian Xu, Da Zhan, Binghui Li, Kewei Liu, Lei Liu, Dezhen Shen
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通常，由于热活化的随机性，很难精确调节其主体晶格中的热缺陷。在这里，我们展示了一种在单层二硫化钼 （MoS2） 中创建图案化单硫空位（VS） 缺陷的热退火方法，以亚纳米级精度进行约 2 nm 的分离。从理论上讲，我们揭示了 S-Au 界面耦合减少了形成 VS 缺陷的能量障碍，这解释了界面 VS 缺陷的压倒性形成。我们还发现了一种通过莫尔网格界面的声子调节机制，它有效地将单层 MoS2 的 Γ 点面外声学声子浓缩到其 TOP 莫尔位点，这已被提议触发莫尔条纹热 VS 形成。这里提出的高通量纳米级图案化缺陷可能有助于构建可扩展的基于缺陷的量子系统。
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