这项工作基于X射线光电子能谱（XPS）和反射电子能量损失谱（REELS）之间的互补性提供了一种新工具。更准确地说，本研究的重点是在液滴外延作用 III-V 量子点生长的第一阶段，在 GaAs（111）A 衬底上原位精确测定自组装 InxGa1-x 纳米液滴的铟和镓组成。基于 In4d 和 Ga3d 核心水平的 XPS 强度模型能够在均匀液滴的假设下估计液滴内的镓/铟比率。另一方面，我们开发了一种全新的分解方法，即从沉积在衬底上的液滴的 REELS 光谱中获得的损失概率曲线。实验获得和半经验建模的 InxGa1-x 体等离子体的能量允许从 REELS 计算液滴中的铟镓组成。XPS 和 REELS 获得的这些值之间的比较提供了有关 In/Ga 混合以培养二元 InxGa1-x 纳米液滴的信息。它们的良好一致性表明，通过液滴外延在非常大的成分范围内，InxGa1-xN 量子点的生长取得了有希望的结果。



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