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A $V$-Band 2-Gb/s 6.5-dBm Low-Power Transmitter in CMOS With On-Chip Antenna and Consumption Adaptivity Down to 700 nW
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-09-09 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3449281 Xin An 1 , Helmuth P. E. Morath 1 , Florian Protze 1 , Jens Wagner 1 , Frank Ellinger 1
中文翻译：
采用 CMOS 封装的 V$ 频段 2 Gb/s 6.5 dBm 低功耗发射器，具有片上天线和低至 700 nW 的功耗自适应性
更新日期：2024-09-09
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-09-09 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3449281 Xin An 1 , Helmuth P. E. Morath 1 , Florian Protze 1 , Jens Wagner 1 , Frank Ellinger 1
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中文翻译：
采用 CMOS 封装的 V$ 频段 2 Gb/s 6.5 dBm 低功耗发射器，具有片上天线和低至 700 nW 的功耗自适应性
京公网安备 11010802027423号