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揭开 NbSe2 单晶的面纱:第一性原理见解、光学性质、合成和 X 射线衍射剖面研究
Next Materials Pub Date : 2024-09-03 , DOI: 10.1016/j.nxmate.2024.100361 Mehul S. Dave , Ranjan Kr. Giri , Rajiv D. Vaidya , Kaushik R. Patel , Shivani R. Bharucha , Mitesh B. Solanki
使用化学气相传输(CVT)技术合成二硒化铌(NbSe)晶体。密度泛函理论(DFT)计算采用广义梯度近似(GGA)方法。利用 Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) 赝势函数来强调 NbSe 六方 P6/mmc 对称结构晶相的结构、电学、弹性常数和光学特性。此外,态密度 (DOS) 显示,在费米能级,Nb (3d) 态占主导地位,Se (5p) 和 Se (5 s) 态发挥次要作用。能带结构证实了晶体的金属性质,显示出导带和价带之间的重叠。 Scherrer 方法、Williamson-Hall (WH) 分析、尺寸应变图 (SSP) 和 Halder-Wagner (HW) 图利用均匀变形模型 (UDM)、均匀应力变形模型 (USDM) 和均匀变形能量密度模型 ( UDEDM)模型用于研究 X 射线衍射(XRD)曲线。估计了微晶尺寸、固有应力、应变和能量密度参数。光学显微镜和透射电子显微镜(TEM)都被用来研究表面形态。
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