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Ultra-low loss silicon nitride becomes even cooler
Light: Science & Applications ( IF 20.6 ) Pub Date : 2024-09-05 , DOI: 10.1038/s41377-024-01576-1 Dawn T H Tan 1, 2 , Xavier X Chia 1
中文翻译：
超低损耗氮化硅变得更加凉爽
更新日期：2024-09-05
Light: Science & Applications ( IF 20.6 ) Pub Date : 2024-09-05 , DOI: 10.1038/s41377-024-01576-1 Dawn T H Tan 1, 2 , Xavier X Chia 1
Affiliation
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Ultra-low loss silicon nitride realized using deuterated precursors and low thermal budgets well within backend-of-line CMOS processing may accelerate widespread proliferation of their use.
中文翻译：
超低损耗氮化硅变得更加凉爽
使用氘代前驱体实现的超低损耗氮化硅和后端 CMOS 处理中的低热预算可能会加速其使用的广泛扩散。
京公网安备 11010802027423号