In this work, we fabricated a Van der Waals heterostructure of monolayer (ML) WS2 and InGaN quantum dots (QDs). This heterostructure is divided into coupled and uncoupled regions based on the thickness of the inserted hBN layer. Upon measuring its PL spectra, we identified an interfacial negative biexciton, which consists of a trion in ML WS2 and an exciton in QDs, in the coupled region. This interfacial negative biexciton features the negative charge of the trion and the quantum confinement of QDs, with its relative intensity showing a strong dependence on the excitation photon energy and featuring a significant threshold. Our work highlights the effective coupling within the mixed-dimensional heterostructure, offering new prospects for the study of many-body physics.

中文翻译：

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单层 WS2/InGaN 量子点异质结构中的界面负二激子


在这项工作中，我们制造了单层 （ML） WS2 和 InGaN 量子点 （QD） 的范德华异质结构。这种异质结构根据插入的 hBN 层的厚度分为耦合和非耦合区域。在测量其 PL 光谱后，我们在耦合区确定了一个界面负双激子，它由 ML WS2 中的一个三元子和 QD 中的一个激子组成。这种界面负双激子具有 trion 的负电荷和 QD 的量子限制，其相对强度显示出对激发光子能量的强烈依赖性，并具有显着的阈值。我们的工作突出了混合维异质结构中的有效耦合，为多体物理学的研究提供了新的前景。