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室温合成具有丰富电化学性能的独立二维 Mn3O4 纳米结构,用于超级电容器应用
Materials Research Bulletin ( IF 5.3 ) Pub Date : 2024-08-14 , DOI: 10.1016/j.materresbull.2024.113045
Biswarup Gourd , Manisha Kundu , Indrajit Mondal , Arpan Maiti , Snehamoyee Hazra , Tukai Singha , Dheeraj Mondal , Biplab Kumar Paul , Sukhen Das , Arnab Ghosh
在这里,我们报告了通过简单且经济高效的湿化学途径,在不使用封端剂的情况下,低温生长二维独立式氧化锰(MnO)纳米片。 FESEM、TEM 和 AFM 分析证实,原始 2D MnO 纳米片的尺寸和厚度分别在 100 至 200 nm 和 3.5-5.1 nm 之间。使用三种电极配置和 1 M KOH 作为电解质研究了 2D MnO 基电极的电化学性能,观察到 537 F/g(2 A g)的极高比电容。此外,还发现二维 MnO 基电极在高达 5000 次循环后仍表现出优异的比电容保留率 (∼ 93%)。因此,二维 MnO 纳米片丰富的电化学性能揭示了其作为超级电容器设备应用中电极材料的潜力。

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