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Modeling and Analysis of Monitoring Gate-Oxide Degradation of SiC Power MOSFETs in Circuit by the Fingerprints of Voltage Switching Transient
IEEE Transactions on Power Electronics ( IF 6.6 ) Pub Date : 2024-08-20 , DOI: 10.1109/tpel.2024.3446241 Y. Q. Chen 1 , B. Hou 1 , Y. H. Lin 2
中文翻译：
通过电压开关瞬态指纹监测电路中 SiC 功率 MOSFET 栅氧化层退化的建模与分析
更新日期：2024-08-20
IEEE Transactions on Power Electronics ( IF 6.6 ) Pub Date : 2024-08-20 , DOI: 10.1109/tpel.2024.3446241 Y. Q. Chen 1 , B. Hou 1 , Y. H. Lin 2
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中文翻译：
通过电压开关瞬态指纹监测电路中 SiC 功率 MOSFET 栅氧化层退化的建模与分析
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