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3.7-GHz Multi-Bank High-Current Single-Port Cache SRAM With Leakage Saving Circuits in 3-nm FinFET for HPC Applications
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-08-19 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3440970 Yoshiaki Osada, Takaaki Nakazato, Yumito Aoyagi, Koji Nii, Jhon-Jhy Liaw, Shien-Yang Wu, Quincy Li, Hidehiro Fujiwara, Hung-Jen Liao, Tsung-Yung Jonathan Chang
中文翻译：
3.7GHz 多组高电流单端口缓存 SRAM，采用 3nm FinFET 封装，具有漏电保护电路，适用于 HPC 应用
更新日期：2024-08-19
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 4.6 ) Pub Date : 2024-08-19 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3440970 Yoshiaki Osada, Takaaki Nakazato, Yumito Aoyagi, Koji Nii, Jhon-Jhy Liaw, Shien-Yang Wu, Quincy Li, Hidehiro Fujiwara, Hung-Jen Liao, Tsung-Yung Jonathan Chang
中文翻译：
3.7GHz 多组高电流单端口缓存 SRAM，采用 3nm FinFET 封装，具有漏电保护电路，适用于 HPC 应用
京公网安备 11010802027423号