支持高负电荷的六配位硅酸盐和锗酸盐连接体已被制备并用作具有镧系金属节点的阴离子 MOF 框架的构建块。最初制备并表征了以 SiO6/GeO6 为中心的连接体 [Et3NH]2[H3L-Si/Ge] [H3L-Si/Ge = 三(3,4-二醇-苯甲酸)硅酸盐/锗酸盐]，其中锗酸盐配体证明优异的水稳定性。然后使用 H3L-Ge 在水热条件下合成了一系列稀土 MOF（IMP-33-Sc 和 IMP-34-Ln，Ln = Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu）。然而，IMP-33-Sc和IMP-34-Ln都表现出具有相同flu-3,6-C2/c拓扑的(3,6)连接网络，而IMP-33-Sc包含三金属节点，IMP-34 -Ln 节点是双金属的，因此导致 IMP-34-Ln 中的 4- 阴离子网络电荷更高（相对于 IMP-33-Sc 中的 1- ）。铽基 MOF IMP-34-Tb 表现出特有的发光特性，并通过动态猝灭过程被水溶液中的 Pb2+ 离子选择性猝灭。荧光强度与 Pb2+ 浓度在 0.01-4 mM 范围内的强线性关系使其成为水性 Pb2+ 离子的有前景的传感器。



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