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揭示缺陷 WS2/WSe2 异质双层中层间激子的光学跃迁特性
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2024-07-08 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c02025
Ke Wu 1 , Ziyi Yang 1 , Yanwei Shi 1 , Yubin Wang 2 , Baixu Xiang 2 , Hongzhi Zhou 3 , Wen Chen 4 , Shunping Zhang 5, 6 , Hongxing Xu 5, 7 , Qihua Xiong 2
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多维可调谐莫尔超晶格系统中物理特性的操纵是纳米光子学的一个关键焦点，特别是对于二维材料中的层间激子（IX）。然而，缺陷对 IX 的影响仍不清楚。在这里，我们深入研究了具有不同缺陷密度的 WS 2 /WSe 2异质双层的光学性质。低温光致发光 (PL) 表征表明，与高能 IX 相比，低能 IX 更容易受到缺陷的影响。与缺陷较少区域中的低能 IX 相比，低能 IX 还表现出随温度变化更快的 PL 淬灭速率、随激光功率变化的更快峰宽展宽速率、更短的寿命和更低的圆偏振。这些效应归因于电子散射增加、激子-声子相互作用以及缺陷引入的非辐射通道的综合效应。我们的发现有助于优化莫尔超晶格结构。
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