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基于全耗尽型 T-MoSe2/GeSe/B-MoSe2 范德华双异质结的高性能自驱动偏振敏感成像光电探测器

Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2024-07-03 , DOI: 10.1002/adfm.202409331
Kang An 1, 2 , Yuan Pan 1, 2 , Ximing Rong 3 , Tao Zheng 1, 2 , Ling Li 1, 2 , Huiru Sun 1, 2 , Jiang Zeng 1, 2 , Yuheng Sang 1, 2 , Feiyong Huang 1, 2 , Dewu Yue 4 , Won Jong Yoo 5 , Hongyu Chen 1, 2
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具有低对称结构的新型 2D 材料引起了人们对开发小体积单片偏振敏感光电探测器的极大兴趣,这可以为夜间、雾和烟雾环境中的更多信息提供新的自由度。然而,到目前为止,它们中至少有一半呈现出具有光电流各向异性因子 (≈2) 的小各向异性。在此,在系统研究了 GeSe 纳米片的光学各向异性之后,提出了一种基于 Top-MoSe2/GeSe/Bottom-MoSe2 (T-MoSe2/GeSe/B-MoSe2) 范德华双异质结的新型性能优异的自驱动偏振敏感成像光电探测器。得益于GeSe面内各向异性两侧范德华双异质结完全耗尽的范德华双异质结有效分离和缩短光电载流子的传输距离,T-MoSe2/GeSe/B-MoSe2光电探测器的各向异性光电流比(Imax/Imin)可高达12.5 (635 nm, 0 V)。该值比 MoSe2/GeSe 光电探测器高 3.5 倍,比本工作中原始 GeSe 光电探测器高 7 倍。T-MoSe2/GeSe/B-MoSe2 光电探测器 (206 mA W-1, 0 V) 的响应度是 MoSe2/GeSe 光电探测器的 5 倍。此外,T-MoSe2/GeSe/B-MoSe2 光电探测器在 0 V 时表现出 4 × 104 的高光开/关比。这项工作为开发高性能偏振敏感成像光电探测器提供了新的见解。




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更新日期:2024-07-03
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