与面心立方 （FCC） 相比，体心立方 （BCC） 难熔高熵合金 （RHEA） 的抗辐照性研究相对较少。在本工作中，采用分子静力学 （MS） 和分子动力学 （MD） 方法研究了 MoNbTaV 和 MoNbTaW 的典型 BCC RHEA 中 1/2<111> 边缘位错 （EDs） 和 <100> 辐照位错环 （DLs） 之间的相互作用。采用两种原子间电位，即嵌入式原子法 （EAM） 电位和平均原子电位，来评估 RHEA 晶格畸变对 ED-DL 相互作用的影响。对于用 EAM 电位模拟的真实随机模型，发现由于局部晶格畸变，ED 容易被部分固定，而没有与 DL 完全相互作用，这可能导致形成由剩余的 ED 和 DL 片段组成的环复合物以及反应产生的位错。相比之下，对于用平均原子势模拟的平均模型，省略了晶格畸变，DL 往往被 ED 完全吸收。临界分辨剪切应力 （CRSS） 计算结果表明，RHEAs 的大晶格畸变可以显著提高抗辐照硬化性能。此外，晶格畸变对 DL 阻碍 ED 运动的影响与 DL 尺寸密切相关。为了同时考虑晶格畸变和 DL 阻碍的影响，通过引入与 RHEA 类型相关的修正长度来扩展分散势垒硬化 （DBH） 模型。扩展模型可以更好地捕捉 BCC RHEA 的 CRSS 和相关的辐照硬化。



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