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钼掺杂无钴正极通过增强共价键实现电化学稳定性

Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2024-06-21 , DOI: 10.1002/smll.202403828
Jiayi Wang 1 , Xincheng Lei 2 , Shengnan Guo 2 , Xiaomin Zhang 1 , Yaping Deng 3, 4 , Qianyi Ma 4 , Mingliang Jin 5 , Lingzhi Zhao 5 , Xin Wang 1, 5 , Zhongwei Chen 3 , Dong Su 2
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该掺杂策略有效提高了无钴富镍正极的容量和循环稳定性。了解掺杂剂的内在贡献对于优化阴极的性能非常重要。本研究研究了 Mo 掺杂 LiNi0.8Mn0.2O2 (NM82) 阴极的结构修饰与其性能之间的相关性。掺杂Mo价态的作用已被证明在晶格结构修饰和电子态调整方面都有作用。虽然阴极表面Mo的高价态不可避免地会降低Ni的价态以达到电子中性,从而导致离子混合,但原始Mo的价态会影响其扩散深度。结构分析表明,Mo 掺杂会在表面形成混合层,其中高价 Mo 形成细长的阳离子混合层,从而增强结构稳定性和锂离子传输。此外,研究发现Mo6+离子的高价掺杂剂部分占据了未填充的4d轨道,这可能通过增加共价键来强化Mo─O键,从而降低氧迁移率。这使得具有高 Mo 价态的 Mo-NM82 阴极具有令人印象深刻的容量保持率(200 次循环后为 90.0%)。这些发现强调了掺杂对层状氧化物阴极性能的价态效应,为下一代阴极的开发提供了指导。




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更新日期:2024-06-21
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