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通过掺杂 n 型聚合物最大限度地减少 PCBM 的能级失配和表面钝化,以获得高度稳定的 Sn 基钙钛矿太阳能电池

Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2024-06-19 , DOI: 10.1002/smll.202402896
Md Emrul Kayesh 1 , Md Abdul Karim 1 , Yulu He 1 , Yasuhiro Shirai 2 , Masatoshi Yanagida 2 , Ashraful Islam 1
Affiliation  


由于 Sn2+ 氧化的固有趋势以及钙钛矿与苯基 C61-丁酸甲酯 (PCBM) 之间的巨大能量错配,开发高性能和稳定的 Sn 基钙钛矿太阳能电池 (PSC) 很困难,PCBM 是一种经常使用的电子传递层 (ETL)。本研究表明,通过将 n 型聚合物 N2200 掺杂到 PCBM 中,可以钝化钙钛矿表面缺陷并改善 PCBM 的电性能。用 N2200 掺杂 PCBM 可增强能带对准并改善 PCBM 的电性能。N2200 中存在 S 和 O 等供电子原子,可有效地与游离 Sn2+ 配位,以防止进一步氧化。使用 N2200 对 PCBM 进行掺杂,可在 ETL 和钙钛矿之间的界面处减少导带偏移(从 0.38 到 0.21 eV)。因此,基于 N2200 掺杂 PCBM 的 PSC 显示出 0.79 V 的增强开路电压,具有令人印象深刻的 12.98% 的功率转换效率 (PCE)(认证 PCE 11.95%)。值得注意的是,N2200 掺杂的基于 PCBM 的 PSC 表现出优异的稳定性,并且在一个阳光下以最大功率点跟踪连续照明 1000 小时时,保留了其初始 PCE 的 90% 以上。




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更新日期:2024-06-19
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