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MXene/Y:HfO2 铁电忆阻器中的光电人工突触实现新型逻辑运算和神经形态计算
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2024-06-04 , DOI: 10.1021/acsami.4c05316
Junlin Fang 1 , Zhenhua Tang 1 , Xi-Cai Lai 1 , Fan Qiu 1 , Yan-Ping Jiang 1 , Qiu-Xiang Liu 1 , Xin-Gui Tang 1 , Qi-Jun Sun 1 , Yi-Chun Zhou 2 , Jing-Min Fan 3 , Ju Gao 4
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为了满足信息处理的巨大需求，当今的计算系统推动了受大脑启发的神经形态系统的发展。然而，在大多数类脑神经形态系统中，能够通过光信号和电信号同时调节电导率的光电器件相对较少。在这项工作中，Au/MXene/Y:HfO 2 /FTO铁电忆阻器作为一种光电人工突触器件，在不同电压下表现出数字和模拟电阻切换（RS）行为，并具有良好的切换比（>10 3 ）。在光电条件下，最优权值更新参数和增强算法在卷积神经网络中实现了97.1%的识别准确率。建立了一种专门为光电输入设计的新型逻辑门电路。此外，该设备还集成了相对湿度的影响，开发出具有否决权的创新三人投票机制。这些结果为将光电人工突触与基于逻辑的计算设备集成提供了一种可行的方法。
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